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摘 要：成功在高阻单晶硅单层衬底上，一体形成波导与MEMS结构的新型器件结构，兼顾了3.6mW的低功耗和高开关性能（消光比为13.69dB），有望为用于6G通信的光子集成电路的小型化和低功耗化做出贡献。
关键词：6G、太赫兹光开关、单层硅衬底、MEMS、一体成型
要点
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开发出一种在太赫兹波段工作的开关器件（光开关）。
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成功在单层硅衬底上制造了该器件，而非传统的复杂多层结构。
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实现了3.6mW的低功耗和高开关性能（消光比为13.69dB）。
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有望为用于6G通信的光子集成电路的小型化和低功耗化做出贡